一种金刚石增强碳化硅(SiC)复合晶圆的制备方法，即在真空热处理后的SiC碳极性面镀制的SiNx薄层。经微波氢等离子体处理后通入甲烷，基于氮原子逃逸和碳原子渗入实现金刚石高密度形核和C‑Si键形成。接着在降低甲烷生长金刚石的同时通入硅烷，并缓慢降低硅烷流量直至关闭，沉积SiC/金刚石复合梯度过渡层。随后重复金刚石生长通入氮气并保持1‑5min的循环过程，待金刚石达到一定厚度后关闭氮气和甲烷，在氢等离子体中缓慢降温后再升高至800‑1000℃处理后缓慢降温，最终通过抛光金刚石面实现低应力、强结合的金刚石/SiC复合晶圆材料。
