"教授 国务院特殊津贴专家 乌克兰工程院外籍院士 英国皇家化学会会士"
杨为佑作为负责人带队完成的“SiC低维材料生长精细控制及其光电器件应用基础”项目围绕第三代半导体SiC低维材料，从材料的可控制备、新颖物性研究到器件潜在应用，开展了较为系统的研究工作，发现了SiC低维材料生长普适性的精细控制技术和原理，实现了SiC低维结构的精细控制；提出了SiC低维材料的电子发射和压阻特性的协同强化原理，实现了其光电特性的大幅度提高；挖掘了微纳尺度下SiC第三代半导体的高温物理特性。截至2022年8月，杨为佑已被授权国家发明专利96件。
